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基于多通道温度与发射率分离算法的敦煌场地红外特性研究 期刊论文 OAI收割
光学学报, 2019, 卷号: 039
作者: 张允祥; 李新; 韦玮; 翟文超; 张艳娜

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遥感辐射定标场热红外绝对定标温度与发射率分离

用于乙炔气体检测的卡尔曼滤波式激光温控系统 期刊论文 OAI收割
激光杂志, 2019, 卷号: 40, 期号: 06, 页码: 10-13
作者: 王彪; 范兴龙; 戴童欣; 连厚泉; 黄硕

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TDLAS C2H2 温度控制卡尔曼滤波积分分离式PID

稀土及过渡金属-芳香多元羧酸配位聚合物的合成、结构与性质研究 学位论文 OAI收割
博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 孟兴

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配位聚合物金属离子分离选择性识别温度传感质子导电

涡流管能量分离特性的实验研究 会议论文 OAI收割
2015年中国工程热物理学会热力学学术年会, 2015
作者: 黎念; 王洁; 韩晓红; 陈光明

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涡流管能量分离滞止点温度分离点

液态工质涡流管温度分离特性实验研究 会议论文 OAI收割
中国工程热物理学会-工程热力学与能源利用, 2013
黎念; 吴孔祥; 王征; 陈光明; 宋琦; 韩晓红

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涡流管氢氟烃制冷系统温度分离

球壳非稳态导热模型分析 期刊论文 OAI收割
计算机与现代化, 2013, 期号: 7, 页码: 40-42
作者: 吕希胜

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球壳非稳态导热分离变量法温度场球贝塞尔方程

高超声速小钝度球锥边界层转捩的攻角效应的直接数值模拟 会议论文 OAI收割
中国力学大会——2013, 中国北京, 2013-08-19
作者: 梁贤; 李新亮

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边界层转捩钝度高超声速球锥攻角效应直接数值模拟边界层稳定性 breakdown 分离流雷诺数马赫数湍流大攻角空间演化特征壁面温度非线性分布强非线性特征长度锥面锥度

一种查尔霉素化合物的制备方法 专利 OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201110080565.1, 申请日期: 2011-10-19, 公开日期: 2011-10-19
丁玲; 秦松; 李富超; 张伟杰; 哈特穆特·拉赤

收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2014/08/04

一种查尔霉素化合物的制备方法其中链霉菌M491保存于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心CGMCC 2)摇床培养：将上述培养的0.5?1.0cm2带有孢子丝的琼脂块接种到200?250ml豆粉液体培养基 3)萃取：将上述发酵液用有机溶剂浸提3?4次 4)纯化：将粗提物经硅胶柱层析组分4经浓硫酸/茴香醛显色待含棕黄色的条带其特征在于：按如下步骤操作：1)固体培养：将海洋链霉菌M491接种于M2+固体培养基保藏编号为：CGMCC?No.2446 在28?35℃温度以110?130rpm的转速下进行摇床培养4?5天后合并有机相浓缩得粗提物以1?3L二氯甲烷再将组分4经硅胶柱层析以二氯甲烷/7％甲醇进行梯度洗脱在28?30℃下培养直至长出青灰色的孢子待用 2?4L二氯甲烷/2％甲醇待以展开剂为二氯甲烷/10％甲醇时Rf＝0.22?0.24处 1?3L二氯甲烷/5％甲醇分离得到式二化合物 1?3L二氯甲烷/10％甲醇梯度进行洗脱在Rf＝0.25?0.27分离得到式三化合物。流速为8?11mL/min 将所得组分3经浓硫酸/茴香醛显色待含棕黄色的条带经葡聚糖层析后在展开剂为二氯甲烷/10％甲醇时Rf＝0.50?0.52分离得到式一化合物

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2012/08/22

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。

金属连二硫烯络合物分离烯烃的理论研究 学位论文 OAI收割
博士, 过程工程研究所: 中国科学院过程工程研究所, 2008
韩清珍

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金属连二硫烯烯烃分离溶剂效应温度效应分子结构效应