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• 新疆理化技术研究所 [3]
• 长春光学精密机械与物... [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2020 [1]
• 2019 [1]
• 2016 [2]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2020, 卷号: 41, 期号: 02, 页码: 169-172 作者:  曲杨;  王欣洋;  周泉;  常玉春   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2021/07/06 时间延时积分  CMOS  光晕  横向抗晕栅  满阱容量   γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文  OAI收割 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68 作者:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/09 图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应   温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337 作者:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  郭旗;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2016/06/02 CMOS图像传感器  转换增益  满阱容量  暗电流  温度   基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2 作者:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发;  郭旗;  何承发;  李豫东;  文林 收藏  |  浏览/下载：119/0  |  提交时间：2016/03/01 互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量