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中国材料辐照装置CMIF前端视频四级场加速器的设计与测试 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  李晨星
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/10/25
中国材料辐照装置 CMIF 前端 射频四极场加速器的设计与测试 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018
作者:  李晨星
  |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2018/12/28
葵花籽壳纳米纤维素/壳聚糖/大豆分离蛋白可食膜制备工艺优化 期刊论文  OAI收割
农业工程学报, 2016, 期号: 8, 页码: 306-314
作者:  陈珊珊;  陶宏江;  王亚静;  马中苏
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/17
基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征 学位论文  OAI收割
硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  荣梓清
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2016/04/27
由于给体片段（D）和受体片段（A）间的电荷转移  D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙  且分子偶极矩较大  分子间相互作用较强  利于获得高的载流子迁移率  因此  D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面  稠环分子由于具有刚性平面的构型  重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此  本文以二噻吩并[2  3-b:7  6-b]咔唑（C1）和二噻吩并[3  2-b:6  7-b]咔唑（C2）两个稠环单元作为给体片段  苯并噻二唑（BT）单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物  并且对它们的光物理性质  电化学性质  载流子传输和光伏特性进行了系统研究  主要成果和创新点如下： （1）合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2)  它们均是无定形聚合物。 尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别  但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。 通过理论模拟可以发现  两个聚合物骨架构象完全不同  P(BT-C1)的骨架较为弯曲  而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此  基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管（OTFT）的迁移率较高  达到5.4×10-3 cm2V-1s-1  而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低  为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右  因此  基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池（OSC）器件的开路电压（Voc）明显高于P(BT-C1)  而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显  导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度（Jsc）和填充因子（FF）较高  两个聚合物的能量转换效率（PCE）相差不多  均在5%左右。 （2）以C2为给体单元  BT和二氟代BT为受体单元  合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比  P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性  HOMO能级升高  光谱红移。在BT单元上引入F原子后  聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV  同时帯隙变窄。 理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善  但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显  基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低  PCE均小于2%。  
物理技术——值得关注的清洁水处理方法 期刊论文  OAI收割
给水排水, 2014, 卷号: 1, 期号: 4, 页码: 1
曲久辉
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2015/04/02
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
基于MEMS的条栅状微过滤器的设计与制作 会议论文  OAI收割
中国湖北武汉
作者:  吴一辉;  张平
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/03/19
存储与计算的分离 期刊论文  OAI收割
计算机研究与发展, 2005, 期号: 第3期, 页码: 520～530页
作者:  韩晓明;  马一力;  傅湘林;  许 鲁
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/14
新型聚合物分散液晶相位光栅的制备 期刊论文  OAI收割
光学学报, 2004, 期号: 03, 页码: 369-372
作者:  宣丽;  刘永刚;  于涛
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/03/11
从ISOL到放射性束加速 期刊论文  OAI收割
核物理动态, 1992, 期号: 01
黄业成
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/09/23