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β-Ga_2O_3单晶制备工艺的研究进展 期刊论文 OAI收割
功能材料, 2021, 卷号: 52, 期号: 01, 页码: 1070-1077
作者: 陈博利; 杨依帆; 冷国琴; 黄朝晖; 孙峙

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Β-ga_2o_3 宽禁带半导体单晶生长制备工艺

甲壳素/壳寡糖的生物法制备及其对凡纳滨对虾的促生长作用研究 学位论文 OAI收割
中国科学院海洋研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 刘勇亮

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甲壳素/壳寡糖生物制备方法水产养殖应用凡纳滨对虾促生长作用

三维纳米铁氧化物、其凝胶原位制备方法及其应用 专利 OAI收割
专利号: CN108439478A, 申请日期: 2018-08-24, 公开日期: 2018-08-24
作者: 庄媛; 石宝友; 孔岩

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1.一种三维纳米铁氧化物的凝胶原位制备方法,其特征在于,包括如下步骤：步骤1,将水溶性高分子和铁盐溶于水中,得到混合溶液其中,所述水溶性高分子优选为聚乙烯醇、明胶或琼脂步骤2,将步骤1得到的混合溶液加热,得到水溶性高分子模板原位生长有序分级的纳米铁氧化物步骤3,将步骤2得到的产物反复冷解冻,即得到水溶性高分子模板原位生长并凝胶固定的三维纳米铁氧化物复合凝胶。

纳米材料制备及物性测量的虚拟过程工程初探 期刊论文 OAI收割
计算机与应用化学, 2016, 期号: 9, 页码: "1003-1007"
作者: 侯超峰; 高国贤; 徐骥

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纳米材料生长制备热力学性质虚拟过程工程计算机仿真

快速膜乳化法制备载生长激素释放肽-6的PLGA微球 期刊论文 OAI收割
过程工程学报, 2013, 期号: 03, 页码: 458-465
何帆; 齐峰; 吴颉; 苏志国

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快速膜乳化聚(乳酸-羟基乙酸)微球粒径均一生长激素释放肽-6 初乳制备方式

高密度糖基化表面的构建 会议论文 OAI收割
2011年全国高分子学术论文报告会, 大连, 2011-09-24
宋万通; 肖春生; 崔立国; 汤朝晖; 庄秀丽; 陈学思

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结品过程颗粒制备结晶过程控制结晶生长的化学键合理论

铝镁酸钪的粉体合成与晶体生长 学位论文 OAI收割
硕士, 福建物质结构研究所: 中国科学院福建物质结构研究所, 2009
周海涛

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铝镁酸钪衬底粉体制备晶体生长晶体结构

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2012/08/22

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。

单壁碳纳米管的生长原理、定向制备及其红外敏感性能研究 学位论文 OAI收割
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2008
饶伏波

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单壁碳纳米管定向制备生长原理红外敏感 VLS

多壁碳纳米管的制备及其生长机理研究 学位论文 OAI收割
博士, 过程工程研究所: 中国科学院过程工程研究所, 2008
崔彦斌

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多壁碳纳米管制备生长机理