机构

• 高能物理研究所 [1]
• 海洋研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 专利 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2014 [1]
• 1982 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种制备适用于监测氯离子浓度的Ag/Agcl工作电极的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201310624990.1, 申请日期: 2014-02-26, 公开日期: 2014-02-26 李伟华; 李振垒; 侯保荣 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2014/08/04 一种制备适用于监测氯离子浓度的Ag/Agcl工作电极的方法  其特征在于：将质量比为9?10:1的Ag粉和Agcl粉混合均匀  混合均匀后置于研钵中充分研磨  研磨时加入聚乙二醇1000  充分研磨后的粉末用依次经正庚烷和蒸馏水进行冲洗  然后烘干压制即为Ag/Agcl电极。   氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量 期刊论文  OAI收割 核技术, 1982, 期号: 6, 页码: 66-68 作者:  季国坤;  黄懋容;  刘年庆 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/25 硅单晶  中子辐照  参数表示  晶体生长过程  总计数  间隙原子  用正  加热处理  化学抛光  机械抛光