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OAI收割 [10]
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学位论文 [3]
会议论文 [1]
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2015 [1]
2013 [1]
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学科主题
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共10条,第1-10条
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基于GaN器件的宽输入LLC谐振变换器研究
学位论文
OAI收割
中国科学院深海科学与工程研究所: 中国科学院大学, 2024
作者:
徐子硕
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2024/06/13
GaN器件
LLC谐振变换器
宽输入电压范围
软开关
微通道板光电倍增管的动态范围研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2024
作者:
魏佳男
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2024/06/27
微通道板光电倍增管
动态范围
光电阴极
输入光脉冲频率
微通道板-阳极电压
可见光脉冲输入下微通道板光电倍增管的动态范围研究
期刊论文
OAI收割
光子学报, 2024, 卷号: 53, 期号: 2
作者:
魏佳男
;
刘虎林
;
陈萍
;
李阳
;
李奎念
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2024/03/21
微通道板型光电倍增管
动态范围
输入光脉冲频率
微通道板-阳极电压
线性偏离
电流模式下微型裂变电离室参数对探测性能的影响
期刊论文
OAI收割
核技术, 2016, 期号: 12, 页码: "37-40"
作者:
孟令杰
;
赖伟
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/08/17
裂变电离室
电流模式
电压范围
饱和区
基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征
学位论文
OAI收割
硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
荣梓清
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2016/04/27
由于给体片段(D)和受体片段(A)间的电荷转移
D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙
且分子偶极矩较大
分子间相互作用较强
利于获得高的载流子迁移率
因此
D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面
稠环分子由于具有刚性平面的构型
重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此
本文以二噻吩并[2
3-b:7
6-b]咔唑(C1)和二噻吩并[3
2-b:6
7-b]咔唑(C2)两个稠环单元作为给体片段
苯并噻二唑(BT)单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物
并且对它们的光物理性质
电化学性质
载流子传输和光伏特性进行了系统研究
主要成果和创新点如下: (1)合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2)
它们均是无定形聚合物。 尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别
但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。 通过理论模拟可以发现
两个聚合物骨架构象完全不同
P(BT-C1)的骨架较为弯曲
而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此
基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管(OTFT)的迁移率较高
达到5.4×10-3 cm2V-1s-1
而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低
为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右
因此
基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池(OSC)器件的开路电压(Voc)明显高于P(BT-C1)
而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显
导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度(Jsc)和填充因子(FF)较高
两个聚合物的能量转换效率(PCE)相差不多
均在5%左右。 (2)以C2为给体单元
BT和二氟代BT为受体单元
合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比
P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性
HOMO能级升高
光谱红移。在BT单元上引入F原子后
聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV
同时帯隙变窄。 理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善
但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显
基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低
PCE均小于2%。
离子液体在锂离子电池中的应用
会议论文
OAI收割
第30届全国化学与物理电源学术年会, 中国上海, 2013-07-12
作者:
陈仕谋
;
蔡迎军
;
张兰
;
董陶
;
张锁江
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2015/05/13
锂离子电池
动力电池
电化学窗口
功率密度
高热稳定性
电动汽车
铿离子电池
使用温度范围
工作电压
锉离子电池
一种1.8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 697-700
作者:
金湘亮
;
计峰
;
陈杰
;
马建斌
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收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/05/26
带隙基准电压源
Cmos工艺
宽温度范围
电源抑制比
电路版图
传感器芯片
输出电压
温度系数
基于MEMS微针技术的研究现状与展望
期刊论文
OAI收割
微纳电子技术, 2005, 期号: 04
许宝建
;
金庆辉
;
赵建龙
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/01/06
电容式传感器
惯性传感器
可靠工作范围
阶跃信号
偏置电压极性
快速阀传感器的设计与制造
期刊论文
OAI收割
真空科学与技术, 1990, 期号: 5, 页码: 336-339
作者:
熊慎寿
;
马兴华
;
仇华兴
;
郑主安
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/12/25
快速阀
光束线
响应时间
对数放大器
设计过程
控制器原理
探测装置
电压比较器
高压电源
压力范围
用热电阻端电压进行热电偶自由端温度自动补偿
期刊论文
OAI收割
电测与仪表, 1980, 期号: 7, 页码: 28-29
蒋明富
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/10/01
基准温度
热电偶温度计
温度补偿
热电偶测温
热电阻
温度范围
端电压
温度自动补偿
自由端
热电势
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