机构

• 电子学研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2010, 期号: 04 贺威; 张正选 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/01/06 超导纳米线单光子探测器  电子束曝光  反应离子刻蚀  探测效率   速调管的稳定性问题研究 学位论文  OAI收割 博士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2009 全亚民 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2011/07/19 速调管  稳定性  电子导纳  电子光学  外加载腔  查尔德郎谬尔定律   速调管的稳定性问题研究 学位论文  OAI收割 博士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2009 全亚民 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/07/19 速调管  稳定性  电子导纳  电子光学  外加载腔  查尔德郎谬尔定律