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OAI收割 [91]
内容类型
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立方碳化硅薄膜的层错结构特征
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 459-463
作者:
闫学习
;
姚婷婷
;
陶昂
;
杨兵
;
陈春林
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收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2021/02/02
碳化硅
层错
原子结构
球差校正透射电子显微术
高温合金中硼化物精细结构的高空间分辨电子显微学研究
期刊论文
OAI收割
金属学报, 2018, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 1503-1524
作者:
马秀良
;
胡肖兵
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收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/12/25
高温合金
硼化物
晶体学特征
多面体堆垛
透射电子显微术
功能薄膜界面的电子显微学研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012
汪雪
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/04/12
外延生长
功能薄膜
透射电子显微术
界面结构
显微结构
epitaxial growth
functional thin films
transmission electron microscopy
interface structure
microstructures
金属玻璃微观结构和变形机制的电子显微学研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012
邓静伟
收藏
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浏览/下载:167/0
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提交时间:2013/04/12
金属玻璃
中程有序
波动电子显微术
剪切塑性区
剪切带
样品制备
Metallic glass
medium range-order
fluctuation electron microscopy
plastic zone
shear band
specimen preparation
基于同步辐射的磁性表征
会议论文
OAI收割
2012
高兴宇
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2013/09/11
磁性:8933
表征技术:4194
同步辐射:1549
电子显微术:380
轨道磁矩:159
时间分辨:99
微米:82
纳米:78
自旋极化:55
微观尺度:46
线光:45
射线技术:34
第四次产业革命:21
磁学:19
元素分辨:15
空间分辨率:15
电子自旋:13
圆二色:12
光源:11
磁畴:11
GaN 一维材料的生长与表征
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
王志高
收藏
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浏览/下载:205/0
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提交时间:2012/09/10
HVPE GaN 纳米材料 催化剂 VLS VS 电子显微术 阴极荧光光
In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光性质的影响
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2011, 期号: 10
作者:
张锦平
;
周桃飞
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2012/09/17
材料
InGaN/GaN
扫描透射电子显微术
光致发光光谱
带填充
大功率InGaN/GaN蓝光LED光学特性研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
崔苗
收藏
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浏览/下载:214/0
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提交时间:2012/09/07
InGaN/GaN 光致发光光谱 扫描投射电子显微术 拉曼光谱 散热
过饱和乙醇溶液重结晶导致三苯基膦单斜结构到正交相的相变
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2010, 期号: 5, 页码: 61-67
徐舸
;
杨志卿
;
马秀良
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/04/12
正交相三苯基膦
重结晶
相变
旋转畴
透射电子显微术
多铁性BiFeO_3/SrTiO_3多层膜的透射电镜研究
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2010, 期号: 4, 页码: 338-343
唐兆俊
;
王君伟
;
朱银莲
;
唐为华
;
马秀良
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/04/12
多铁性
多层膜
界面
透射电子显微术