机构

• 微电子研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 学位论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2007 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 李巍 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌   掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2007, 期号: 5 作者:  刘果果;  和致经;  姚小江;  刘丹;  陈晓娟   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26 Gan Hemt  电流崩塌效应  掺杂