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	偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响期刊论文 OAI收割辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70 作者: 王利斌; 王信; 吴雪; 李小龙; 刘默寒 \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2020/11/03 SiGe BiCMOS 偏置条件电离总剂量氧化物陷阱电荷界面态
	电场、应力和电荷态对Ti_2CO_2电子性质调控的理论研究期刊论文 OAI收割无机材料学报, 2020, 卷号: 35, 期号: 01, 页码: 73-80 作者: 王昌英; 路宇畅; 任翠兰; 王刚; 怀平 \| 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2021/04/25 第一性原理 Ti2CO2 电场应力电荷态电子性质
	高电荷态Xe~(q+)（4≤q≤23）离子与Ni、GaAs、MgOAl_2O_3表面作用中可见光发射的研究学位论文 OAI收割中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2018 作者: 徐秋梅 \| 收藏 \| 浏览/下载：34/0 \| 提交时间：2019/11/26 高电荷态Xe离子 Ni GaAs MgOAl_2O_3 可见光发射
	高电荷态 ECR 离子源微波耦合研究学位论文 OAI收割北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018 作者: 郭俊伟 \| 收藏 \| 浏览/下载：48/0 \| 提交时间：2018/12/28 Ecr 离子源高电荷态离子束微波耦合微波模式变换
	近玻尔速度 HCI 碰撞产生多电离的 X 射线研究学位论文 OAI收割北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018 作者: 周贤明 \| 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2018/12/28 高电荷态离子近玻尔速度 x 射线多电离