机构

• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2006, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 53-55 作者:  崔志明;  陈朝阳;  巴维真;  蔡志军;  丛秀云 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/11/29 电子技术  高补偿硅  化学沉积法  硅镍化合物