机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525 作者:  李晋闽;  王占国;  王晓亮;  胡国新;  马志勇   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan  高电子迁移率管  Mocvd  功率器件  碳化硅衬底