机构

• 高能物理研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 1998 [1]
• 1986 [1]
• 1982 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 TiAl金属间化合物的淬火缺陷研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 1998, 期号: 4, 页码: 217-221 作者:  王宝义;  张水合;  常晶;  王天民 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/25 TiAl  淬火缺陷  等时退火  正电子寿命   中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1986, 期号: 1, 页码: 78-84 作者:  熊兴民 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/12/25 中子辐照  正电子湮没  等时退火  硅单晶  区熔  双空位  退火温度  基块  空位缺陷  悬键   用正电子湮没技术研究形变铁的恢复 期刊论文  OAI收割 物理学报, 1982, 期号: 1, 页码: 126-131 作者:  曹玔;  王蕴玉;  熊兴民;  熊良钺;  姜健 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/12/25 正电子湮没技术  退火温度  等时退火  理论预期  完整晶体  晶格缺陷  退火过程  金属缺陷  再结晶过程  真空退火