中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共44条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
特征信号图像测速法在超声速多组分等离子体射流中的应用 期刊论文  OAI收割
力学学报, 2024, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 1-14
作者:  张奇志;  张晖;  曹进文;  黄河激;  孟显
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2024/06/04
金属铌表面${\\rm{Ar/}}{{\\rm{O}}_2}$等离子体在线清洗的实验研究 期刊论文  OAI收割
四川大学学报. 自然科学版, 2020, 卷号: 57, 期号: 6, 页码: 1147-1151
作者:  李敏;  杨黎;  陈建军;  陈波;  王宏彬
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/12/10
热等离子体加热的长时间超高速稀薄气体流动地面模拟 会议论文  OAI收割
中国陕西西安, 2017-07-26
作者:  黄河激;  潘文霞;  吴承康
  |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/12/12
飞秒强激光脉冲与团簇相互作用的实验研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2013
作者:  李松
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2016/11/28
低功率氨电弧加热发动机数值模拟 会议论文  OAI收割
中国工程热物理学会, 2012
陈轩; 耿金越; 孙素蓉; 王海兴
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/21
基于平衡流场的再入飞行器电磁散射特性分析 期刊论文  OAI收割
系统工程与电子技术, 2011, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 506-510
作者:  韦笑;  彭世镠;  殷红成;  印国泰
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/01
TC4钛合金CO_2激光焊接试验研究 期刊论文  OAI收割
沈阳理工大学学报, 2011, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 70-74
魏英姿; 冯艺君; 王红
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/05/29
等离子体驱动碎片加速器中脉冲充气电磁阀 期刊论文  OAI收割
核聚变与等离子体物理, 2011, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 181-185
作者:  冯春华;  房同珍;  王龙;  杨宣宗;  黄建国
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2014/12/15
飞秒强激光驱动团簇库仑爆炸产生聚变中子的实验研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2010
作者:  周子理
收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2016/11/28
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。