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重组别藻蓝蛋白三聚体结构与功能 期刊论文 OAI收割
科学通报, 2017, 卷号: 62, 期号: 16, 页码: 1699-1713
作者: 李文军; 蒲洋; 牛壮; 薛春岭; 秦松

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recombinant allophycocyanin trimer exciton-coupled pairs absorption spectrum fluorescence spectrum circular dichroism spectra conformational stability 重组别藻蓝蛋白三聚体激子耦合对吸收光谱荧光光谱圆二色谱构象稳定性

1+1/2对转涡轮高压动叶叶顶间隙变工况变化及影响研究 会议论文 OAI收割
作者: 魏泽明赵巍隋秀明赵庆军

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1+1/2对转涡轮热流固耦合变工况叶顶间隙

重组别藻蓝蛋白三聚体结构鉴定及敏化特性的研究 学位论文 OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
蒲洋

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重组别藻蓝蛋白三聚体高效纯化激子耦合对人工光伏元件光电流

运用RPLC-ICP-MS对富硒酵母中硒形态分析 期刊论文 OAI收割
食品与生物技术学报, 2013, 期号: 12, 页码: 1261-1265
作者: 刘扬; 张涛; 杨静; 高愈希; 吴刚

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富硒酵母反相离子对色谱与电感耦合等离子质谱联用技术硒代蛋氨酸

反相离子对高效液相色谱-电感耦合等离子体质谱法测定富硒酵母中硒 期刊论文 OAI收割
理化检验(化学分册), 2013, 期号: 6, 页码: 701-704+708
作者: 高愈希; 蒲云霞; 彭晓敏; 吴刚

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富硒酵母形态分析反相离子对高效液相色谱法电感耦合等离子体质谱法

大型地下洞室对穿预应力锚索失效形式与耦合模型 期刊论文 OAI收割
岩土力学, 2013, 期号: 08, 页码: 2271-2279
作者: 万祥兵; 冯夏庭

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大型地下洞室对穿预应力锚索锚索失效锚索-围岩耦合元件模型

NaYF_4微晶与纳米晶中晶相对Tb~(3+)-Er~(3+)耦合对下转换的影响 期刊论文 OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 07, 页码: 693-697
作者: 王立军; 骆永石; 赵海峰; 刘春旭

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Tb3+-Er3+耦合对下转换晶相六角相交叉弛豫

统计学习方法在多示例学习及特征抽取中的应用 学位论文 OAI收割
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 黄羿衡

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统计学习理论多示例学习耦合对稀疏支持向量机分段线性路径 statistical learning theory multiple instance learning paiwise partners sparse support vector machine piecewise linear path

用于GaAs太阳能电池的NaYF_4中Tb~(3+)-Er~(3+)耦合对的光谱转换 期刊论文 OAI收割
发光学报, 2011, 期号: 11, 页码: 1120-1125
作者: 骆永石; 王立军; 刘春旭

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Tb3+-Er3+耦合对光谱转换量子剪裁量子效率

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2012/08/22

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。