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基于有限元模型的增减材一体化复合制造技术热力耦合研究 期刊论文  OAI收割
机械工程学报, 2022, 页码: 1-9
作者:  赵宇辉;  高孟秋;  赵吉宾;  王志国;  何振丰
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2022/06/07
气体分离膜技术在天然气提氦中的研究进展 期刊论文  OAI收割
膜科学与技术, 2022, 卷号: 42, 期号: 06, 页码: 168-177
作者:  郑佩君;  谢威;  白菊;  蔡治礼;  王璨
  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2023/06/08
油页岩热解半焦燃烧特性及热解/燃烧耦合工艺研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2019
作者:  李孝杨
  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/06/17
钛合金复杂零件增材制造工艺的数值模拟 学位论文  OAI收割
博士, 中国科学院沈阳自动化研究所: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2015
作者:  王福雨
收藏  |  浏览/下载：482/0  |  提交时间：2015/08/20
基于LC振荡回路的无线无源胃肠压力监测系统的研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
史强
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2014/06/12
DMBR-IVCW耦合工艺处理生活污水的研究 期刊论文  OAI收割
水处理技术, 2013, 期号: 8, 页码: 57-62+66
孔令为; 贺锋; 夏世斌; 徐栋; 张义; 吴振斌
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/01/02
吸附-微生物耦合深度脱硫工艺研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院, 2012
唐煌
收藏  |  浏览/下载：162/0  |  提交时间：2013/09/25
FEM analyses for influences of stress-chemical solution on THM coupling in dual-porosity rock mass 期刊论文  OAI收割
中南大学学报：英文版, 2012, 卷号: 19.0, 期号: 004, 页码: 1138
作者:  Zhang Yujun;  Yang Chaoshuai
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/05/25
吸附-磁性微生物降解耦合柴油脱硫脱氮工艺研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
张婷
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2013/09/17
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。