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学科主题

• 红外探测材料与器件 [1]

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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 基于Wiener退化对镁水泥混凝土中钢筋的锈蚀预测 期刊论文  OAI收割 西南交通大学学报, 2019, 卷号: 54, 期号: 06, 页码: 1252-1257 作者:  乔宏霞;  王鹏辉;  李元可;  郭向柯;  巩位   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/06/12 镁水泥混凝土  腐蚀电流密度  Wiener退化过程  可靠度  锈蚀   管线钢在鹰潭红壤泥浆中的腐蚀行为 期刊论文  OAI收割 全面腐蚀控制, 2016, 期号: 11, 页码: 49-53 韩曙光; 孙海星; 徐兆东; 于利宝; 闫茂成; 于长坤; 孙成 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/12/28 土壤腐蚀  管线钢  酸性土壤  电极过程  EIS   恢复热处理对铸造镍基高温合金中σ相的影响 会议论文  OAI收割 侯介山; 郭建亭; 袁超; 周兰章 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2016/04/20 σ相  恢复热  回溶  时效过程  固溶处理  固溶温度  蠕变过程  扩散理论  热腐蚀  定量研究   不锈钢中硫化锰夹杂的局域溶解及亚稳态点蚀的原位(外环境、阳极电位极化条件下)TEM研究 会议论文  OAI收割 中国腐蚀电化学及测试方法专业委员会2012学术年会, 中国四川成都, 2012 张波; 周杨韬; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2014/01/10 亚稳态点蚀  TEM  阳极电位  极化曲线  极化条件  不锈钢  电化学腐蚀  外环境  腐蚀过程  硫化锰  电化学测试  钝化区  过渡区  电化学过程  pitting  局域  研究材料  腐蚀形貌  特征点  dissolution:89   模拟高温高压气井环境下HP2-13Cr的点蚀行为研究 会议论文  OAI收割 中国腐蚀电化学及测试方法专业委员会2012学术年会, 中国四川成都, 2012 雷冰; 马元泰; 李瑛; 王福会 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/01/10 生产油管  高温高压气井  点蚀行为  HP2-13Cr  油管钢  点蚀破坏  腐蚀环境  返排  点蚀坑  井筒  酸化  采出水  中温  残酸  作业过程  局部腐蚀  工况  三个阶段  膜下腐蚀  鼓包:3   不锈录井钢丝的评估与试制 会议论文  OAI收割 全国金属制品信息网第22届年会, 武夷山, 2010-10-18 尹涛; 尹万全 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/08/21 不锈录井钢丝  腐蚀介质  拉拔过程  抗拉强度  显微硬度  显微组织   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   电化学方法研究纯镁在薄液膜下的腐蚀行为Ⅰ-O2对纯镁在薄液膜下腐蚀行为的影响 会议论文  OAI收割 2008年全国腐蚀电化学及测试方法学术交流会, 沈阳, 2008-07 陈崇木; 崔宇; 张涛; 邵亚薇; 孟国哲; 王福会; 李晓刚; 董超芳 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2013/08/21 纯镁材料  电化学腐蚀  液膜厚度  电极过程   利用电化学方法研究纯镁在薄液膜下的腐蚀行为Ⅱ-薄液膜对纯镁腐蚀阳极过程的影响 会议论文  OAI收割 2008年全国腐蚀电化学及测试方法学术交流会, 沈阳, 2008-07 陈崇木; 张涛; 邵亚薇; 孟国哲; 王福会; 李晓刚; 董超芳 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/08/21 纯镁材料  电化学腐蚀  点蚀孕育  阳极过程   镁合金无铬化学转化处理的研究 第二部分──成膜及腐蚀过程研究 期刊论文  OAI收割 电镀与涂饰, 2007, 期号: 6, 页码: 40-42+47 许进; 李捷; 毕艳; 顾卡丽 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/12 镁合金  化学转化膜  成膜过程  腐蚀  表面形貌  元素组成