机构

• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 028 作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/11/25 调制中断  表面形貌  GaN薄膜