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采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI 器件的窄沟道效应 期刊论文  OAI收割
电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 4,1535_1538
作者:  
郭天雷;  宋文斌;  许高博;  韩郑生
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2010/05/26