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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
学位论文 [2]
发表日期
2017 [1]
2012 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李巍
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/06/05
氮化镓
铟铝氮
高电子迁移率晶体管
二维电子气
电流崩塌
GaN 基 HEMT材料的新结构研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2012/05/30
氮化镓
铟铝氮
二维电子气
高电子迁移率晶体管
短沟道效应