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长春光学精密机械与物... [3]
高能物理研究所 [1]
半导体研究所 [1]
上海技术物理研究所 [1]
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OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [4]
学位论文 [2]
发表日期
2016 [1]
2012 [1]
2009 [1]
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2001 [1]
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红外探测材料与器件 [1]
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基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李士颜
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提交时间:2016/06/02
高深宽比限制技术
选区外延技术
Si基III-V族异质外延
Si基高迁移率III-V族MOSFET
纳米激光器
碲镉汞双色红外探测芯片的喷涂匀胶技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
尹文婷
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞双色红外焦平面探测器
高深宽比微结构
喷涂匀胶技术
光刻胶均匀分布
轴向磁化永磁微电机的磁场分析及定子线圈制作工艺
期刊论文
OAI收割
仪表技术与传感器, 2009, 期号: 11
作者:
吴一辉
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提交时间:2012/09/25
轴向磁化
气隙磁密
磁场分析
Nd-Fe-B
平面线圈
高深宽比
轴向磁化永磁微电机最小尺寸分析及研制
期刊论文
OAI收割
中国电机工程学报, 2008, 期号: 21
作者:
吴一辉
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提交时间:2012/09/25
轴向磁化
有限元法
洛仑兹力
平面线圈
高深宽比
轴向磁化永磁微电机最小尺寸分析及定转子制作
期刊论文
OAI收割
仪表技术与传感器, 2007, 期号: 10
作者:
吴一辉
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提交时间:2012/09/25
轴向磁化
有限元法
洛仑兹力
转矩
平面线圈
高深宽比
BSRF上同步辐射深度光刻的实验研究
期刊论文
OAI收割
高能物理与核物理, 2001, 期号: S1, 页码: 128-130
作者:
彭良强
;
伊福廷
;
韩勇
;
张菊芳)
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提交时间:2016/01/25
同步辐射深度光刻
超深结构
高深宽比