机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 5，554-558 作者:  魏珂;  刘新宇;  和致经;  吴德馨   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan／gan  高迁移率晶体管  肖特基特性  击穿电压  场板结构