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• 上海微系统与信息技术... [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文) 期刊论文  OAI收割 红外与毫米波学报, 2011, 期号: 06 顾溢; 王凯; 李成; 方祥; 曹远迎; 张永刚 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 光电探测器  高In组分  缓冲层  InGaAs  InAlAs