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浏览/检索结果: 共1860条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The growth and spectroscopic properties of Yb:KNGM crystal: A promising ultrashort pulse laser material 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2023, 卷号: 263 作者:  Zhang, Chuancheng;  Ding, Shoujun;  Hu, Haitang;  Ren, Hao;  Wang, Miaomiao   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2023/11/10 Laser crystal  Yb:KNGM  Ultrashort pulse laser  Czochralski method  Raman spectrum   Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响 期刊论文  OAI收割 光子学报, 2023, 卷号: 52, 期号: 6 作者:  郭可飞;  尹飞;  刘立宇;  乔凯;  李鸣   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2023/11/03 雪崩光电二极管  InGaAs/InP  Zn扩散  单光子探测  雪崩击穿概率   Performance of infrared detectors applied in astronomical telescopes 会议论文  OAI收割 Nantong, China, 2022-09-17 作者:  Xiang, Yongsheng;  Guo, Jie;  Xu FY(许方宇);  Sun, Baicheng;  Gong, Xiaoxia   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/06/05 Observation of sunspots at He I 10830 angstrom using a low-noise InGaAs infrared detector 会议论文  OAI收割 Nantong, PEOPLES R CHINA, 2022-09-17 作者:  Sun, Bai-Cheng;  Xiang, Yong-Sheng;  Fan, Ming-Guo;  Gong, Xiao-Xia;  Wang B(王斌)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2023/07/17 He I 10830 angstrom  InGaAs  Detector  Flat Field  Sunspot monochromatic image   InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2023 作者:  郭可飞   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/07/26 单光子探测  单光子雪崩光电二极管阵列  InGaAs/InP  Zn 扩散  雪崩击穿概率   用于天文观测的InGaAs近红外探测器性能测试方法 期刊论文  OAI收割 红外与毫米波学报/Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 卷号: 41, 期号: 06, 页码: 1002-1008 作者:  孙佰成;  郭杰;  许方宇;  范明国;  龚晓霞   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2023/01/23 红外天文  InGaAs红外探测器  转换因子  读出噪声  暗电流   Growth, thermal, and spectroscopic properties of Yb,Ho,Pr:LuYAG single crystal: a novel similar to 2.9 mu m laser material 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2022, 卷号: 247 作者:  Zhang, Huili;  Sun, Dunlu;  Luo, Jianqiao;  Quan, Cong;  Hu, Lunzhen   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2022/12/23 Yb,Ho,Pr:LuYAG  Crystal growth  Thermal property  Spectroscopy  2.911 mu m laser   Optimized Selective-Area p-Type Diffusion for the Back-Illuminated Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiodes by a Single Diffusion Process 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2022, 卷号: 219, 期号: 2, 页码: 6 作者:  Y. R. Chen;  Z. W. Zhang;  G. Q. Miao;  H. Jiang and H. Song   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2022/06/13 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297 作者:  周书星1;  方仁凤1;  魏彦锋1;  陈传亮1;  曹文彧1   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2022/02/18 磷化铟高电子迁移率晶体管  二维电子气  电子束辐照  辐射加固   A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2022, 卷号: 308, 期号: 4 作者:  Y. R. Chen;  Z. W. Zhang;  G. Q. Miao   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2022/06/13