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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2006 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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共1条,第1-1条
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Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5216-5220
Pan JQ (Pan Jiao-Qing)
;
Zhao Q (Zhao Qian)
;
Zhu HL (Zhu Hong-Liang)
;
Zhao LJ (Zhao Ling-Juan)
;
Ding Y (Ding Ying)
;
Wang BJ (Wang Bao-Jun)
;
Zhou F (Zhou Fan)
;
Wang LF (Wang Lu-Feng)
;
Wang W (Wang Wei)
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
strained quantum well
distributed feedback laser
TUNABLE DIODE-LASER
QUANTUM-WELL LASER
1.74 MU-M
SPECTROMETER
METHANE
POWER