机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 836-840 作者:  刘新宇;  陈震;  吴德馨   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管（hemt）  电荷控制模型  异质结  二维电子气  双平面掺杂  Eeacc  1350a  2560s