中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
基于β-Ga2O3线阵探测器的紫外火焰探测系统研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2024
作者:  项俊杰
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2024/06/14
黄河三角洲盐渍区土壤盐分三维空间分异及其影响因素 期刊论文  OAI收割
地球信息科学学报, 2024, 卷号: N/A, 页码: 1-16
作者:  傅新;  张浩然;  王元波;  黄翀;  刘向冶
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2024/12/12
4π平坦效率~3He中子探测器阵列的设计与模拟分析 期刊论文  OAI收割
核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 61-69
作者:  郝子锐;  范功涛;  刘龙祥;  王宏伟;  张岳
  |  收藏  |  浏览/下载：133/0  |  提交时间：2021/04/25
基于蓝宝石基底的独立型3ω探测器 会议论文  OAI收割
2015年中国工程热物理学会传热传质学学术年会, 大连, 2015
作者:  岳鹏;  邱琳;  郑兴华;  唐大伟
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/12/30
多孔聚甲基丙烯酰亚胺泡沫的有效热导率测量 会议论文  OAI收割
中国工程热物理学会-传热传质, 2013
岳鹏; 邱琳; 郑兴华; 唐大伟
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/11/28
博士论文-基于MWPC的二维位置灵敏中子探测器研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:  田立朝
收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2015/10/12
硕士论文-HEPP反符合探测器及其前端电子学设计与研制 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:  刘汉一
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/10/12
半导体望远镜探测系统研制及其在卫星上的应用 期刊论文  OAI收割
原子核物理评论, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 200-203
作者:  王柱生;  李占奎;  高萍;  谭继廉;  李存璠
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2014/12/15
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
博士论文-二维位置灵敏中子探测器的研制 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  王小胡
收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2015/10/12