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金属研究所 [3]
海洋研究所 [2]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [4]
专利 [2]
发表日期
2012 [3]
2011 [1]
2007 [1]
2005 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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双相钛合金室温大压缩变形下的组织细化(英文)
期刊论文
OAI收割
Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2012, 期号: 11, 页码: 2604-2608
张志强
;
董利民
;
杨洋
;
关少轩
;
刘羽寅
;
杨锐
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2013/02/23
双相钛合金
Ti-3Al-4.5V-5Mo合金
大塑性变形
晶粒细化
纳米晶
织构
一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201110290535.3, 申请日期: 2012-06-20, 公开日期: 2012-06-20
作者:
王毅
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浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2014/08/04
一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料
M3+为Al3+
M2+/M3+的摩尔比为1.6~4.5
0.2≤x≤0.4。
其特征在于:所述水滑石材料化学组成通式为[M2+1?xM3+x(OH)2]x+(C16H17N2O4S?)x·nH2O
Cr3+
M2+为Mg2+
Fe3+
Zn2+
V3+
Ni2+
Co3+
Fe2+或Mn2+的二价金属离子
Ga3+或Ti3+的三价金属离子
Microstructure refinement of a dual phase titanium alloy by severe room temperature compression
期刊论文
OAI收割
Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2012, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2604-2608
Z. Q. Zhang
;
L. M. Dong
;
Y. Yang
;
S. X. Guan
;
Y. Y. Liu
;
R. Yang
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2013/02/05
dual phase titanium alloy
Ti-3Al-4.5V-5Mo alloy
severe plastic
deformation
microstructure refinement
nanocrystalline grains
texture
severe plastic-deformation
mechanical-properties
grain-refinement
principles
behavior
一种缓释型苯甲酸根阴离子插层水滑石碳钢防腐蚀材料及其制备和应用
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201110041730.2, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2011-08-03
作者:
王毅
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2014/08/04
一种缓释型苯甲酸根阴离子插层水滑石碳钢防腐蚀材料
M2+/M3+的摩尔比为1.6~4.5
0.2≤x≤0.4。
其特征在于:所述防腐蚀材料化学组成通式为[M2+1?xM3+x(OH)2]x+(C6H5COO?)x·nH2O
M2+代表二价金属离子Mg2+
Zn2+
Ni2+
Fe2+
Mn2+中的任何一种
M3+代表三价金属离子Al3+
Cr3+
Fe3+
V3+
Co3+
Ga3+
Ti3+中的任何一种
Physical properties and electrochemical performance of LiNi0.5Mn1.5O4 cathode material prepared by a coprecipitation method
期刊论文
OAI收割
Materials Chemistry and Physics, 2007, 卷号: 103, 期号: 1, 页码: 19-23
Y. K. Fan
;
J. M. Wang
;
X. B. Ye
;
J. Q. Zhang
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/04/13
LiNi0.5Mn1.5O4
synthesis
electrochemical performance
lithium ion
batteries
ultrasonic spray-pyrolysis
lithium rechargeable cells
elevated-temperatures
ion batteries
4.5 v
spinel
voltage
fe
al
Tandem electroabsorption modulators integrated with DFB laser by ultra-low-pressure selective-area-growth MOCVD for 10 GHz optical short pulse generation
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 882-885
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhang, J
;
Zhou, GT
;
Wu, J
;
Wang, LF
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:125/47
  |  
提交时间:2010/03/17
摘要: A novel device of tandem MQW EAMs monolithically integrated with a DFB laser is fabricated by an ultra-low-pressure (22 mbar) selective area growth MOCVD technique. Experimental results exhibit superior device characteristics with low threshold of 19 mA
output light power of 4.5 mW
and over 20 dB extinction ratio when coupled to a single mode fibre. Moreover
over 10 GHz modulation bandwidth is developed with a driving voltage of 2 V. Using this sinusoidal voltage driven integrated device
10 GHz repetition rate pulse with an actual width of 13.7 ps without any compression elements is obtained.