机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Study on mg memory effect in npn type algan/gan hbt structures grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 作者:  Ran, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Wang, JX;  Li, JP 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Mg memory effect  Redistribution  Algan/gan hbts  Mocvd   Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION