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机构
上海微系统与信息技术... [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
学位论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2004 [1]
学科主题
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共2条,第1-2条
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大功率AlGaInP/GaInP半导体激光器非吸收窗口的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
田伟男
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/05/28
大功率半导体激光器
Algainp材料
量子阱混杂
非吸收窗口
GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2004
李冰寒
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2012/03/06
器件研究:5515
材料生长:5412
量子阱结构:2950
应变量子阱:2655
GaAs:2332
集电结:2272
GaSb:2272
AlGaInP:1893
欧姆接触:1812
峰值波长:1375