机构

• 高能物理研究所 [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2013 [1]
• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improved Growth Behavior of Atomic-Layer-Deposited High-k Dielectrics on Multilayer MoS2 by Oxygen Plasma Pretreatment 期刊论文  OAI收割 ACS Applied Materials and Interfaces, 2013, 卷号: 5, 期号: 11, 页码: 4739-4744 - 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/05/16 MoS2  oxygen plasma treatment  atomic layer deposition  Al2O3  HfO2   The effect of atomic oxygen treatment on the oxygen deficiencies of hafnium oxide films 期刊论文  iSwitch采集 Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 10, 页码: 1493-1496 作者:  Ma, Z. W.;  Xie, Y. Z.;  Liu, L. X.;  Su, Y. R.;  Zhao, H. T. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/04/23 Hfo(2) films  Atomic oxygen treatment  O deficiency