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• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Factors affecting the formation of misoriented domains in 6H-SiC single crystals grown by PVT method 期刊论文  OAI收割 CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 357 Peng, TH; Yang, H; Jian, JK; Wang, WJ; Wang, WY; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 SEEDED SUBLIMATION GROWTH  PHYSICAL VAPOR TRANSPORT  SILICON-CARBIDE  TEMPERATURE-GRADIENT  SIC POLYTYPES  BOULES  6H