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物理研究所 [2]
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OAI收割 [2]
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期刊论文 [2]
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2012 [2]
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Crystal growth of AlN: Effect of SiC substrate
期刊论文
OAI收割
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2012, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 401
Zuo, SB
;
Chen, XL
;
Jiang, LB
;
Bao, HQ
;
Wang, J
;
Guo, LW
;
Wang, WJ
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提交时间:2013/09/17
BULK ALUMINUM NITRIDE
SUBLIMATION GROWTH
SINGLE-CRYSTALS
NATIVE ALN
NUCLEATION
MORPHOLOGY
EPITAXY
Growth of AlN single crystals on 6H-SiC (0001) substrates with AlN MOCVD buffer layer
期刊论文
OAI收割
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 139
Zuo, SB
;
Wang, J
;
Chen, XL
;
Jin, SF
;
Jiang, LB
;
Bao, HQ
;
Guo, LW
;
Sun, W
;
Wang, WJ
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提交时间:2013/09/17
BULK ALUMINUM NITRIDE
SUBLIMATION GROWTH
OPTICAL-PROPERTIES
SEEDED GROWTH
NUCLEATION
EPITAXY
FILMS
GAN