机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Movpe growth of grade-strained bulk ingaas/inp for broad-band optoelectronic device applications 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 464-468 作者:  Wang, SR;  Wang, W;  Zhu, HL;  Zhao, LJ;  Zhang, RY 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Graded-strain  High resolution x-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Ingaas  Broadband semiconductor optoelectronic device