机构

• 新疆理化技术研究所 [4]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2015 [2]
• 2014 [1]
• 2011 [1]
• 2004 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/03/25 电离总剂量辐射效应  CMOS有源像素传感器  饱和输出信号  像素单元结构  LOCOS隔离   CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应 期刊论文  OAI收割 强激光与粒子束, 2015, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 210-214 作者:  汪波;  李豫东;  郭旗;  文林;  孙静;  王帆;  张兴尧;  玛丽娅;  郭旗;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2016/06/07 CMOS有源像素传感器  中子辐照  像素单元  饱和输出电压  位移效应   γ射线辐照CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应研究 会议论文  OAI收割 中国甘肃兰州, 2014-08-13 作者:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  任迪远   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/06/04 Cmos Aps  暗信号  像素单元结构  电离总剂量  Locos隔离   静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 442-447 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29 60Coγ  总剂量辐射损伤效应  SRAM型FPGA  CMOS单元   一种基于基本结构的CMOS CAM单元的优化设计 期刊论文  OAI收割 集成电路应用, 2004, 期号: 8, 页码: 57-60 作者:  牛旭花;  叶青;  王巍;  黄令仪;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 Cam  Cpu  存储单元  Cmos工艺  存储器  仿真波形  优化  性能  基本结构