机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 期刊论文  OAI收割 silicon carbide and related materials 2001 pts 1 and 2 proceedings, 2002, 卷号: 389-3, 期号: 0, 页码: 339-342 Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2010/08/12 3C-SiC  in-situ doping  low-pressure CVD  sapphire substrate  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  COMPETITION EPITAXY   In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001 Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/15 3C-SiC  in-situ doping  low-pressure CVD  sapphire substrate  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  COMPETITION EPITAXY