机构

• 光电技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050 作者:  Ren, Shengdong;  Li, Bincheng;  Wang, Qian 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/09/21 Carrier effective lifetime  Photocarrier radiometry  Silicon  Thermal annealing