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上海应用物理研究所 [1]
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采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2020 [1]
2016 [1]
2010 [1]
2004 [1]
1999 [1]
学科主题
Materials ... [1]
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共5条,第1-5条
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Interaction of irradiation-induced point defects with transmutants (H, He, Li, Be, B, Mg, Al and P) in 3C-SiC ceramics
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2020, 卷号: 40
作者:
Sun, Jingjing
;
You, Yu-Wei
;
Xu, Yichun
;
Wu, Xuebang
;
Li, B. S.
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提交时间:2020/10/26
Cubic silicon carbide
Point defect
Structural materials
Transmutants
Ab initio calculations
Effect of carbon ion irradiation on Ag diffusion in SiC
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2016, 卷号: 471, 期号: -, 页码: 220—232
作者:
Leng, B
;
Ko, H
;
Gerczak, TJ
;
Deng, J
;
Giordani, AJ
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提交时间:2016/09/12
RADIATION-ENHANCED DIFFUSION
CUBIC SILICON-CARBIDE
AMORPHOUS METALLIC ALLOYS
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
GRAIN-BOUNDARY DIFFUSION
TRISO COATED PARTICLES
AUGMENTED-WAVE METHOD
FUEL-PARTICLES
MOLECULAR-DYNAMICS
ULTRASOFT PSEUDOPOTENTIALS
Structural and magnetic properties of Si1-xCoxS
期刊论文
OAI收割
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2010, 卷号: 150, 期号: 37-38, 页码: 1840
Song, B
;
Chen, XL
;
Han, JC
;
Jian, JK
;
Li, H
;
Bao, HQ
;
Zhu, KX
;
Zuo, HB
;
Zhang, XH
;
Wang, WY
;
Meng, SH
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2013/09/24
CUBIC SILICON-CARBIDE
DOPED ZNO FILMS
POLYCRYSTALLINE POWDERS
FERROMAGNETISM
ALN
FE
NI
CO
Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth
期刊论文
OAI收割
PHYSICS-USPEKHI, 2004, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 371
Bakhtizin, RZ
;
Xue, QZ
;
Xue, QK
;
Wu, KH
;
Sakurai, T
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
COVERED GAN(0001) SURFACES
LIGHT-EMITTING DIODES
CUBIC GAN
ATOMIC-STRUCTURE
GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE
LATTICE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
SILICON-CARBIDE
Effect of annealing on SiC thin films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
OAI收割
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 1999, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 2099-2102
Huang, JP
;
Wang, LW
;
Wen, J
;
Wang, YX
;
Lin, CL
;
Ostling, M
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CUBIC SILICON-CARBIDE
EPITAXIAL-GROWTH
TEMPERATURE
ABLATION
DEVICES