机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Self-heating effect in 1.3 mu m p-doped InAs/GaAs quantum dot vertical cavity surface emitting lasers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 6, 页码: art. no. 063107 Xu DW; Tong CZ; Yoon SF; Zhao LJ; Ding Y; Fan WJ 收藏  |  浏览/下载：138/19  |  提交时间：2010/04/28 gallium arsenide  III-V semiconductors  indium compounds  quantum dot lasers  surface emitting lasers  DEPENDENT OUTPUT CHARACTERISTICS  SEMICONDUCTOR-LASERS  1.3-MU-M  VCSELS  WELL  CONFINEMENT  POWER