机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Threshold reduction in strained-layer ingaas/gaas quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30 作者:  Lu, LW;  Zhang, YH;  Yang, GW;  Wang, J;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingaas/gaas quantum wells  Dlts measurements  Nonradiative centers   Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30 Lu LW; Zhang YH; Yang GW; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs quantum wells  DLTS measurements  nonradiative centers  THICKNESS