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• 上海微系统与信息技术... [1]

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• OAI收割 [1]

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• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2000 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2000, 期号: 04 丁勇; 赵福川; 毛友德; 夏冠群; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  漏源电压  交换源漏  EL_2碰撞电离