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福建物质结构研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2009 [2]
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共2条,第1-2条
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The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 618-626
S. D. Wu, Z. Huang, Y. Liu, Q. F. Huang, W. Guo and Y. G. Cao
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2012/11/06
Indium segregation
Transfer matrix method
Exciton binding energy
Exciton oscillator strength
molecular-beam-epitaxy
surface segregation
electric-field
ingaas
layers
growth
atoms
profile
matrix
The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 618-626
S. D. Wu, Z. Huang, Y. Liu, Q. F. Huang, W. Guo and Y. G. Cao
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2012/11/06
Indium segregation
Transfer matrix method
Exciton binding energy
Exciton oscillator strength
molecular-beam-epitaxy
surface segregation
electric-field
ingaas
layers
growth
atoms
profile
matrix