机构

• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study on the performance of 2.6 mu m In0.83Ga0.17As detector with different etch gases 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 85, 页码: 211-215 作者:  Li P;  Tang HJ;  Li T;  Li X;  Shao XM   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2018/11/20 ICP induced damage  Cl-2/N-2  Cl-2/CH4  Extended wavelength  InGaAs