机构

• 半导体研究所 [3]
• 物理研究所 [1]
• 地理科学与资源研究所 [1]
• 计算机网络信息中心 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• SCI/SSCI论文 [1]

发表日期

• 2015 [2]
• 2013 [1]
• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Fast and accurate algorithms for simulating coarsening dynamics of cahn-hilliard equations 期刊论文  iSwitch采集 Computational materials science, 2015, 卷号: 108, 页码: 272-282 作者:  Ju, Lili;  Zhang, Jian;  Du, Qiang 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/09 Phase field model  Cahn-hilliard equation  Variable mobility  Coarsening rate  Fast fourier transform   The measurement of wind erosion through field survey and remote sensing: a case study of the Mu Us Desert, China SCI/SSCI论文  OAI收割 2015 作者:  Yue Y. J.;  Shi, P. J.;  Zou, X. Y.;  Ye, X. Y.;  Zhu, A. X. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/09 Wind erosion  Quantitative retrieval model  Field survey  Remote  sensing  Mu Us Desert  vegetation cover  semiarid china  northwest china  northern china  dune  mobility  desertification  model  sand  prediction  transport   Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6 Yu, YX; Lin, ZJ; Luan, CB; Wang, YT; Chen, H; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2014/01/16 AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors  quasi-two-dimensional model  the polarization Coulomb field scattering  the two-dimensional electron gas mobility   Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705 Liu GP; Wu J; Lu YW; Li ZW; Song YF; Li CM; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/02/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  INTERFACE ROUGHNESS  QUANTUM-WELLS  MOBILITY  HETEROJUNCTION  TRANSPORT  MODEL   Design of Low-Loss Surface-Plasmon Quantum Cascade Lasers 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: art. no. 122101 Lu QY; Zhang W; Wang LJ; Gao Y; Yin W; Zhang QD; Liu WF; Liu FQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/04 FIELD MOBILITY MODEL  SEMICONDUCTOR-LASERS  OPTICAL-PROPERTIES  SUBMILLIMETER WAVELENGTHS  WAVE-GUIDES  AL  PB  AU  FE  NI   Self-consistent analysis of double-delta-doped InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2735-2741 Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 two-dimensional electron gas  high electron mobility transistor  self-consistent calculation  InAlAs/InGaAs heterostructure  CHARGE CONTROL MODEL  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  PSEUDOMORPHIC INGAAS HEMT  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  QUANTUM-WELL  ALGAAS/INGAAS PHEMTS  GATE RECESS  HIGH-SPEED  HETEROJUNCTION  CHANNEL