机构

• 物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2010 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5724 Ding, GJ; Guo, LW; Xing, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PIEZOELECTRIC POLARIZATION  ALN/ALGAN SUPERLATTICES  GA-FACE  HETEROSTRUCTURES  MOBILITY  SAPPHIRE  CHARGES   Influence of band bending and polarization on the valence band offset measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 10, 页码: art. no. 104510 Xu XQ (Xu Xiaoqing); Liu XL (Liu Xianglin); Guo Y (Guo Yan); Wang J (Wang Jun); Song HP (Song Huaping); Yang SY (Yang Shaoyan); Wei HY (Wei Hongyuan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：190/49  |  提交时间：2010/06/18 PHOTOEMISSION-SPECTROSCOPY  PRECISE DETERMINATION  GA-FACE  SURFACE  ALN  HETEROJUNCTIONS  DISCONTINUITY  LEVEL