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机构
物理研究所 [1]
上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2000 [1]
1992 [1]
学科主题
Physics, M... [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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High current gain In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors with double spacers grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 915-917
Chen, XJ
;
Chen, JX
;
Chen, YQ
;
Peng, P
;
Yang, QK
;
Li, AZ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
CURRENT TRANSPORT
GAAS BASE
HBTS
RECOMBINATION
ALGAAS/GAAS
EMITTER
PHOTOREFLECTANCE STUDY OF ALAS/GAAS GRADIENT PERIOD SUPERLATTICE
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1992, 卷号: 61, 期号: 18, 页码: 2193
XU, HW
;
ZHOU, XC
;
XU, GC
;
DU, QG
;
WANG, EG
;
WANG, DS
;
ZHANG, LJ
;
CHEN, CJ
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提交时间:2013/09/24
GAAS DEPLETION REGION
TRANSISTOR
BASE