机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：97/25  |  提交时间：2010/03/08 GAAS PHOTOCATHODES  GALLIUM-ARSENIDE  ALXGA1-XAS  DIFFUSION  SURFACE  ENERGY   The effect of Be-doping structure in negative electron affinity GaAs photocathodes on integrated photosensitivity 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 12, 页码: 4104-4109 Wang XF; Zeng YP; Wang BQ; Zhu ZP; Du XQ; Li M; Chang BK 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 structure  NEA  integrated photosensitivity  GaAs  Cs : O  SPECTRAL RESPONSE  NEA PHOTOCATHODES  LAYER THICKNESS  CS  SURFACE  PHOTOEMISSION  SYSTEM