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• 上海微系统与信息技术... [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2005, 期号: 01 郑中山; 刘忠立; 张国强; 李宁; 范楷; 张恩霞; 易万兵; 陈猛; 王曦 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 相位体制模数转换器  表征  数字射频存储器  GaAsMESFET