机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [2]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photoluminescence properties of tensile-strained gaasp/gainp single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 作者:  Zhong, Li;  Ma, Xaoyu 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Tensile strain  Gaasp/gainp  Photoluminescence  Quantum well  Laser diodes  Lp-mocvd   Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1 Zhong, L; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 tensile strain  GaAsP/GaInP  photoluminescence  quantum well  laser diodes  LP-MOCVD