机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2004 [2]
• 2003 [2]

学科主题

• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structural and optical properties of gaassb/gaas heterostructure quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341 作者:  Jiang, DS;  Bian, LF;  Liang, XG;  Chang, K;  Sun, BQ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Quantum wells  Gaassb/gaas   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  GaAsSb/GaAs  GAAS  LASERS  GAIN   Study of optical properties in gaas1-xsbx/gaas single quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 作者:  Luo, XD;  Bian, LF;  Xu, ZY;  Luo, HL;  Wang, YQ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Gaassb/gaas  Selectively-excited  Type ii transition   Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 Luo XD; Bian LF; Xu ZY; Luo HL; Wang YQ; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAsSb/GaAs  selectively-excited  type II transition  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  DOTS  OPERATION